liguan1218@163.com
15562450816
中文 | English
網站首頁
關于我們
公司簡介
企業文化
專利證書
產品展示
半導體工藝設備
化合物半導體設備
新聞資訊
公司新聞
行業資訊
招賢納士
管理理念
加入力冠
聯系我們
English
關鍵詞：
立式爐
該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業的磷/硼擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝 ； 主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。
怎么才能選擇一款適合您的？
讓我們協助您！
我們的專家盡快與您聯系，滿足您更多需求。
最新產品
LPCVD立式爐
LPCVD臥式爐
SiC高溫退火爐
SiC高溫氧化爐
臥式爐
MPCVD長晶爐
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術）
HVPE外延爐——臥式
HVPE外延爐——立式
最新新聞
國產化進程再加速！山東力冠自主研發12英寸立式爐新品正式發布
山東力冠升級PVT設備，引領8-12英寸碳化硅晶圓高效量產
國產半導體裝備迎重大進展！山東力冠微電子裝備推出12英寸液相法SiC長晶爐
槐蔭區第十九屆人大常委會成員蒞臨山東力冠微電子裝備有限公司視察調研
從8英寸PVT設備批量交付到12英寸電阻法長晶系統商業化落地——第三代半導體裝備國產化進程提速
山東力冠微電子裝備二期項目正式簽約！
在線留言
擴散/氧化/退火
CVD設備
SiC單晶生長設備
GaN單晶生長設備
Ga2O3單晶生長設備
金剛石單晶生長設備
地址：濟南市槐蔭區濟南寬禁帶半導體產業園
電話：15562450816
郵箱：liguan1218@163.com
Copyright ? 山東力冠微電子裝備有限公司
網站建設：中企動力 濟南二分 | 標簽 | 營業執照 | 城市分站
