2025成人免费毛片视频 I 在线观看午夜av I 亚洲大片精品 I 三级午夜理伦三级老熟人 I 成人午夜av在线 I 激情乱视频 I 夜夜躁狠狠躁日日躁2002 I 久久久噜噜噜久噜久久 I 色片在线观看 I 乱子伦av无码中文字 I 亚洲精品一二 I 亚洲成av人片一区二区 I 国产青草视频在线观看视频 I 在线观看国产一级片 I 一夲道无码人妻精品一区二区 I 伊人视频在线观看 I 日本狼好色 I 欧美日韩国产中文字幕 I 国产精品最新地址 I 你懂的成人 I 国产美女网站 I 亚洲国产精品99 I 国产精品青草久久福利不卡 I 国产精品欧美在线视频 I 直接看av I 中文日产幕无线码6区收藏 I 国产精品亚洲专区无码蜜芽 I 十个男人躁一个女人视频 I 亚洲大胆人体视频 I 69式高清视频在线观看

氧化/擴散/退火爐

適用領域：集成電路、先進封裝、化合物半導體 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging, Compound Semiconductors 適用材料: ?Si、SiC、GaN Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN) 晶圓尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch 適用工藝：氧化(Oxidation)、退火(Annealing)、固化(Polyimide)、 合金(Alloy)、擴散(Diffusion) Applicable Processes: High-Temperature Annealing

LPCVD設備

適用領域：集成電路、先進封裝、化合物半導體 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging, Compound Semiconductors 適用材料: ?Si、SiC、GaN Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN) 晶圓尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch 適用工藝：氮化硅(SiN)、多晶硅(Poly-Si/U-Poly/D-Poly)、 二氧化硅(TEOS)、HTO等 Applicable Processes: Silicon Nitride (SiN) Deposition, Polysilicon(Poly-Si / U-Poly /D-Poly) Deposition, Silicon Dioxide (TEOS) Deposition, HTO, etc.

SiC高溫退火爐

? 適用領域：化合物半導體 Relevant Industries: Compound Semiconductors ?適用材料：SiC Suitable for Processing: Silicon Carbide (SiC) ?晶圓尺寸：8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch ?適用工藝：高溫退火(Annealing) Applicable Processes: High-Temperature Annealing Applicable process: Annealing of SiC and GaN wafers

SiC高溫氧化爐

?適用領域：化合物半導體 Relevant Industries: Compound Semiconductors ?適用材料：SiC Suitable for Processing: Silicon Carbide (SiC) ?晶圓尺寸：8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch ?適用工藝：高溫氧化(Oxidation) Applicable Processes: High-Temperature Oxidation

LPCVD設備

?適用領域：集成電路、先進封裝 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging ?適用材料：Si、SiC Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC) ?晶圓尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch ?適用工藝：氮化硅(SiN)、多晶硅(Poly-Si/U-Poly/D-Poly)、二氧化硅(TEOS)、HTO等 Applicable Processes: Silicon Nitride (SiN) Deposition, Polysilicon (Poly-Si / U-Poly / D-Poly) Deposition, Silicon Dioxide (TEOS) Deposition, HTO, etc.

氧化/擴散/退火爐

? 適用領域： ?集成電路、先進封裝 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging ? 適用材料: ?Si、SiC Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC) ?晶圓尺寸: ?12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch ?適用工藝: ?氧化(Oxidation)、退火(Annealing)、固化(Polyimide)、合金(Alloy)、擴散(Diffusion) Applicable Processes: ?Oxidation, Annealing, Polyimide Curing, Alloy, Diffusion

HVPE 法單晶生長設備 —臥式

適用領域：單晶生長、外延生長 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 適用材料: ?GaN（單晶）、AIN（單晶/外延）、Ga2O3（外延）、GaAs（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial), GaAs (epitaxial) 晶圓尺寸: ?12/8/6/4英寸 Wafer Size: 12/8/6/4 inch

HVPE 法單晶生長設備 —立式

適用領域：單晶生長、外延生長 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 適用材料: ?GaN（單晶）、AIN（單晶/外延）、Ga2O3（外延）、GaAs（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial), GaAs (epitaxial) 晶圓尺寸: ?12/8/6/4英寸 Wafer Size: 12/8/6/4 inch

PVT法長晶爐——電阻爐

適用領域：單晶生長 Relevant Industries: ?Single Crystal Growth 適用材料: ?SiC、AIN Suitable for Processing: ?SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圓尺寸: ?12/8/6/4英寸,8英寸多坩堝 Wafer Size: 12/8/6/4 inch, 8 inch Multi-crucibles Provide6/8 inches process